有機光伏電池（OSCs）以其輕薄、柔性、可印刷等優勢，在過去幾年中吸引了廣泛的關注，被認為是下一代光伏技術的理想選擇。然而，OPVs 的效率和穩定性仍然落后于傳統硅太陽能電池。

實現低成本和印刷友好的 OSCs 制備，需要采用具有簡單結構的光活性分子的厚膜器件。因此，對于非稠合環受體材料，如何在較厚的器件中實現高能量轉換效率 (PCE)，具有重大意義。

香港理工大學李剛教授團隊近期取得重大突破，他們利用順序沉積 (SD) 方法，成功將 D18:A4T-16 有機活性層的效率從傳統的混合澆注方法的 8.02% 提升至 14.75%，該器件厚度達到 300 納米。 這一研究成果發表在國際頂尖期刊《Advanced Energy Materials》上。

【突破的關鍵：順序沉積 (SD) 方法】

傳統的混合澆注方法，將供體材料和受體材料溶解在一起，然后通過旋涂的方式制備活性層。這種方法會導致材料混合不均勻，形成無序的分子堆積，進而影響器件的效率。

李剛教授團隊創新性地採用了順序沉積 (SD) 方法。該方法首先將供體材料 (D18) 沉積在基底上，形成一層薄膜，然后在上面沉積受體材料 (A4T-16)，最終形成具有良好分子排列的活性層。

SD 方法的優勢：

l  有效促進供體和受體材料的互穿，改善形貌控制： SD 方法可以有效促進供體和受體材料的互穿，形成更理想的相分離結構，有利于激子的解離和電荷傳輸。

l  實現垂直分層結構： SD 方法可以實現供體材料和受體材料的垂直分層結構，這不僅有利于電荷的收集和傳輸，通過控制每一層的沉積，可以減少界面處的缺陷和不穩定因素，可提高器件的穩定性。

l  提高光電轉換效率：順序沉積方法能夠更好地控制有機層的厚度和形貌，從而優化光的吸收和電荷的傳輸路徑。通過精確控制活性層材料的沉積，能夠有效減少載流子的復合，提升光電轉換效率。

l  材料選擇的靈活性：順序沉積允許使用不同溶劑和溫度條件，因而可以選擇更多樣化的材料組合。這使得研究人員能夠嘗試不同的材料體系，從而找到最佳的組合來提升電池性能。

l  便于規模化生產：該方法相較于傳統的濕法涂覆技術，更加適合于大面積均勻膜的制備，有利于有機太陽能電池的規模化生產。這對于實際應用中的生產成本控制和工藝一致性具有重要意義。

【Enlitech 設備的重要性】

光焱科技 (Enlitech) 的 SS-X 太陽光模擬器和 QE-R 光伏/太陽能電池量子效率量測方案在該研究中發揮了關鍵作用。

i.       SS-X50 的高精度模擬太陽光譜，為研究人員提供了真實的測試環境，確保測試結果的可靠性。

ii.     QE-R 則可以幫助研究人員分析不同波長下器件的光電轉換效率，從而優化器件結構和材料選擇。

【突破性的成果】

i.       采用 SD 方法制備的 D18:A4T-16 器件，在 300 納米、500 納米和 800 納米厚度下都展現出 FoM-X 值，這表明該器件在較大厚度下也能保持良好的性能。

ii.      研究團隊定義了一個新的指標來強調厚膜器件的性能，稱為 "FoM-X"。該指標可以更好地評估非稠合環受體材料在厚膜器件中的性能，為該領域的研究提供了新的評價標準。

【未來展望】

鈣鈦礦太陽能電池（PSCs）和有機太陽能電池（OSCs）各有優勢和不足。PSCs具有較高的光電轉換效率，但面臨穩定性和環保方面的挑戰；OSCs的制備簡單、成本低、環保性好，在空氣中的操作穩定性較好，但效率較PSCs略低。未來的研究和發展將繼續在提高效率、穩定性和降低成本方面進行優化。

透過幾個面向來觀察未來可發展的優化模式:

i.          開發新型材料: 于新型受體及高性能給體材料，從而提高光電轉換效率和更好穩定性。

ii.           界面工程: 修飾界面層來減少界面處的缺陷和非輻射復合外，開發新的界面層材料，改善電荷傳輸和減少能量損失。

iii.           優化制備工藝: 如李剛教授團隊的突破性順序沉積改進研究成果，並為其大面積化和穩定性提升提供了有效策略。持續改進順序沉積工藝，如沉積條件、溶劑選擇、層厚控制等，以實現更好的形貌和性能。

iv.           封裝和穩定性: 開發更有效的封裝技術，防止水氧侵入，提高器件的長期穩定性;及抗環境穩定性材料，延長有機太陽能電池的使用壽命。

v.                多層結構設計: 通過不同層的材料組合，進一步提升光吸收和電荷分離效率。另外，漸變結構，實現更有效的光捕獲和電荷傳輸。

vi.           結合智能化制造技術: 利用噴墨打印、刮刀涂布等先進制造技術，降低生產成本并提升制造精度。運用機器學習和人工智能技術，優化材料組合、工藝參數和器件設計。

【圖文解讀】

Figure 3. 光伏效能:通過混合鑄造和 SD 工藝處理的 D18:A4T-16 系統的器件參數變化。

Table 1. 器件效能

。

Figure 6. a) eC9 的化學結構。 b) J-V 曲線和 c) 基于 D18:A4T-16 和 D18:eC9 的 SD 型器件的 EQE 光譜。

原文出處: ADVANCED ENERGY MATERIALS